Toshiba spricht über 5-Bit-per-Cell (PLC) Flash-Speicher



Toshiba at the Flash Memory Summit announced they've managed to develop a 5-Bit-per-Cell memory solution Based on its BiCS 4 flash memory technologies, the feat was achieved using a modified module of Quad-Level Cell (QLC) memory. This shows the technology is not only feasible, but has room for improvement, since an adapted QLC technology will always be inferior to a natively-developed, Penta-Level Cell (PLC) solution.

Um diese Fähigkeit zu erreichen, ein zusätzliches Informationsbit pro Zelle zu speichern (im Vergleich zu QLC), ist eine neue Stufe der Spannungsverfeinerung erforderlich: Die Zelle muss in der Lage sein, ihren Zustand gemäß einem von 32 Spannungszuständen zu ändern, was wiederum der Reihe nach der Fall ist müssen vom Flash Memory Controller korrekt ausgelesen werden. Dies verringert die Leistung und Lebensdauer der Zelle (ebenso wie eine Erhöhung der Anzahl von Bits pro Zelle) und erfordert eine Reihe von Lösungen, um diese verringerte Leistung zu mildern und zu kompensieren. Die Dichte ist jedoch ein zunehmendes Anliegen der Hersteller geworden, weshalb die Entwicklung tieferer, variablerer Spannungszustände fortgesetzt wird, die es ermöglichen, noch mehr Informationen im selben Siliziumbereich zu speichern. Höhere Dichte bedeutet billigere Lösungen, aber die so erhöhte Dichte hat Kompromisse gebracht, über die seit dem Übergang von Single-Level-Cell (SLC) zu (heutzutage allgegenwärtigen) QLC viel geredet wurde.
Source: Tom's Hardware