Toshiba Memory stellt XL-FLASH-Speicherlösung für Speicherklassen vor



Toshiba Memory America, Inc. (TMA), the U.S.-based subsidiary of Toshiba Memory Corporation, today announced the launch of a new Storage Class Memory (SCM) solution: XL-FLASH. Based on the company's innovative BiCS FLASH 3D flash memory technology with 1-bit-per-cell SLC, XL-FLASH brings low latency and high performance to data center and enterprise storage. Sample shipments will start in September, with mass production expected to begin in 2020.

Als SCM (oder persistenter Speicher) klassifiziert, schließt XL-FLASH mit der Fähigkeit, seinen Inhalt wie NAND-Flash-Speicher beizubehalten, die Leistungslücke zwischen DRAM und NAND. Während flüchtige Speicherlösungen wie DRAM die Zugriffsgeschwindigkeit bieten, die für anspruchsvolle Anwendungen erforderlich ist, ist die Leistung mit hohen Kosten verbunden. Da sich die Kosten pro Bit und die Skalierbarkeit der DRAM-Ebenen verringern, behebt diese neue SCM-Schicht (oder Schicht für persistenten Speicher) in der Speicherhierarchie das Problem einer kostengünstigen, nichtflüchtigen NAND-Flash-Speicherlösung mit hoher Dichte. Das auf Wachstum ausgerichtete Branchenanalystenunternehmen IDC schätzt, dass der SCM-Markt im Jahr 2022 voraussichtlich mehr als 3 Mrd. USD erreichen wird. XL-FLASH befindet sich zwischen DRAM und NAND-Flash und bietet eine höhere Geschwindigkeit, geringere Latenz und höhere Speicherkapazitäten - zu geringeren Kosten als herkömmliches DRAM. XL-FLASH wird zunächst in einem SSD-Format bereitgestellt, kann jedoch auch auf Geräte mit Speicherkanalanschluss erweitert werden, die am DRAM-Bus angeschlossen sind, z. B. NVDIMMs (Dual Inline Memory Module) nach Industriestandard.

Hauptmerkmale
  • 128 gigabit (Gb) die (in a 2-die, 4-die, 8-die package)
  • 4 KB Seitengröße für effizienteres Lesen und Schreiben durch das Betriebssystem
  • 16-Ebenen-Architektur für effizienteren Parallelismus
  • Schnelle Seitenlese- und Programmierzeiten. XL-FLASH bietet eine geringe Leselatenz von weniger als 5 Mikrosekunden und ist damit etwa zehnmal schneller als die vorhandene TLC
Als Erfinder von NAND-Flash, der ersten 3D-Flash-Speichertechnologie und Marktführer bei Prozessmigrationen, ist Toshiba Memory ideal positioniert, um SLC-basiertes SCM mit ausgereifter Fertigung, bewährter Skalierbarkeit und bewährter SLC-Zuverlässigkeit bereitzustellen.

'With XL-FLASH, we are giving hyperscalers and enterprise server/storage providers a more cost-effective, lower latency storage solution that bridges the gap between DRAM and NAND performance,' noted Scott Nelson, senior vice president and general manager of Toshiba Memory America, Inc.'s Memory Business Unit. 'We're also opening the door for emerging technologies and industry standards that will enable different form factors for low-latency flash memory solutions. SCM is the next frontier for enterprise storage, and our role as one of the world's largest flash memory suppliers gives XL-FLASH a cost/performance edge over competing SCM solutions.'