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SK Hynix bringt den weltweit ersten 'CTF-basierten 4D NAND Flash' auf den Markt (96-Layer 512 Gb TLC)



SK Hynix today launched the world's first 96-Layer 512Gb CTF (Charge Trap Flash) based 4D NAND flash. Don't let the name trick you - it's still based on 3D TLC technology, but SK Hynix has gone and added a 4th dimension due to its pairing of charge trap flash technology in conjunction with PUC (Peri. Under Cell technology.

Laut SK Hynix ist ihr Ansatz (offensichtlich) besser als der branchenweite 3D-Floating-Gate-Ansatz. Das 4D-NAND-Chipdesign führt zu einer Reduzierung der Chipgröße um mehr als 30% und erhöht die Bitproduktivität pro Wafer um 49% im Vergleich zum 72-Layer-512-Gb-3D-NAND des Unternehmens. Darüber hinaus weist das Produkt eine 30% höhere Schreib- und 25% höhere Leseleistung auf. Außerdem verdoppelt sich die Datenbandbreite auf branchenführende 64 KB. Die Daten-E / A-Geschwindigkeit (Eingabe / Ausgabe) erreicht 1.200 Mbit / s (Megabit / s) bei 1,2 V. Der Plan sieht die Einführung von Consumer-Produkten mit einer Kapazität von bis zu 1 TB neben den Steuerungen und der Firmware von SK Hynix vor. SSDs für Unternehmen werden in der ersten Hälfte des Jahres 2019 folgen, aber Sk Hynix führt 2019 noch 96-lagige 1-TB-TLC- und QLC-Speicherchips ein.

'Dieses 96-Layer-CTF-basierte 4D-NAND mit der branchenweit höchsten Kostenwettbewerbsfähigkeit und Leistung wird zu einem Meilenstein im NAND-Flash-Geschäft des Unternehmens als Plattform für die Entwicklung zukünftiger Produkte', sagte Vice President J.T. Kim, der Leiter des NAND-Marketings. 'Das Unternehmen plant, in diesem Jahr mit der frühen Serienproduktion zu beginnen und die Produktion in M15 weiter auszubauen, um aktiv auf eine Vielzahl von Kunden zu reagieren', fügte er hinzu.
Source: SK Hynix