SK hynix entwickelt 1Znm 16Gb DDR4 DRAM



SK hynix Inc. announced today that it has developed 1Znm 16Gb (Gigabits) DDR4 (Double Data Rate 4) DRAM. As 16Gb is the industry's largest density for a single chip, the total memory capacity per wafer is also the largest of the existing DRAMs. The productivity of this product has improved by about 27% compared to the previous generation, 1Y nm. It does not require highly expensive extreme ultraviolet (EUV) lithography, which gives it a competitive edge cost-wise.

Der neue 1Z-nm-DRAM unterstützt auch eine Datenübertragungsrate von bis zu 3.200 Mbit / s, was die schnellste Datenverarbeitungsgeschwindigkeit in der DDR4-Schnittstelle darstellt. Das Unternehmen steigerte seine Energieeffizienz erheblich und reduzierte den Energieverbrauch erfolgreich um etwa 40% im Vergleich zu Modulen mit der gleichen Dichte, die mit einem 1Y-nm-8-Gb-DRAM hergestellt wurden.

Insbesondere verwendete SK hynix eine neue Substanz, die im Herstellungsprozess der vorherigen Generation nicht verwendet wurde, um die Kapazität dieses 1-Znm-Produkts zu maximieren. Die Kapazität, die Menge an elektrischer Ladung, die ein Kondensator speichern kann, ist ein Schlüsselelement des DRAM-Betriebs. Ein neues Design wurde ebenfalls eingeführt, um die Betriebsstabilität zu erhöhen.

'1Znm-DDR4-DRAM bietet die branchenweit höchste Dichte, Geschwindigkeit und Energieeffizienz und ist damit das beste Produkt, um den sich ändernden Anforderungen von Kunden gerecht zu werden, die einen DRAM mit hoher Leistung und Dichte suchen', sagte Lee Jung-hoon, Leiter von 1Z TF von DRAM-Entwicklung & Business. 'SK hynix wird im nächsten Jahr mit der Massenproduktion und Lieferung in Originalgröße beginnen, um aktiv auf die Marktnachfrage zu reagieren.'

SK hynix plans to expand the 1Znm technology process to a variety of applications, such as LPDDR5, the next generation mobile DRAM, and HBM3, the fastest DRAM to be.