Samsung schließt 5-nm-EUV-Entwicklung erfolgreich ab



Samsung Electronics Co., Ltd., a world leader in advanced semiconductor technology, today announced that its 5-nanometer (nm) FinFET process technology is complete in its development and is now ready for customers' samples. By adding another cutting-edge node to its extreme ultraviolet (EUV)-based process offerings, Samsung is proving once again its leadership in the advanced foundry market.

Im Vergleich zu 7 nm sorgt die 5 nm-FinFET-Prozesstechnologie von Samsung für eine Steigerung der Effizienz des Logikbereichs um bis zu 25 Prozent bei einem um 20 Prozent geringeren Stromverbrauch oder einer um 10 Prozent höheren Leistung als Ergebnis einer Prozessverbesserung, um eine innovativere Standardzellenarchitektur zu ermöglichen. Zusätzlich zu den Verbesserungen des Power Performance Area (PPA) von 7 nm auf 5 nm können Kunden die hochentwickelte EUV-Technologie von Samsung voll ausnutzen. 5 nm verwendet wie sein Vorgänger die EUV-Lithographie zur Strukturierung von Metallschichten und reduziert Maskenschichten bei gleichzeitig besserer Wiedergabetreue. Ein weiterer wichtiger Vorteil von 5 nm ist, dass wir das gesamte geistige Eigentum von 7 nm (IP) auf 5 nm weiterverwenden können. Der Wechsel von 7-nm-Kunden zu 5-nm-Kunden wird in hohem Maße von reduzierten Migrationskosten und einem vorab verifizierten Design-Ökosystem profitieren und folglich ihre 5-nm-Produktentwicklung verkürzen.

Als Ergebnis der engen Zusammenarbeit zwischen Samsung Foundry und den Partnern von 'Samsung Advanced Foundry Ecosystem (SAFE)' wurde eine robuste Designinfrastruktur für die 5-nm-Technologie von Samsung geschaffen, die das Process Design Kit (PDK), Entwurfsmethoden (DM) und die Automatisierung des elektronischen Designs umfasst (EDA) -Tools und IP werden seit dem vierten Quartal 2018 angeboten. Außerdem bietet Samsung Foundry seinen Kunden bereits einen 5-nm-MPW-Service (Multi Project Wafer) an.

'Mit dem erfolgreichen Abschluss unserer 5-nm-Entwicklung haben wir unsere Fähigkeiten bei EUV-basierten Knoten unter Beweis gestellt', sagte Charlie Bae, Executive Vice President des Geschäftsbereichs Gießerei bei Samsung Electronics. 'Als Reaktion auf die steigende Nachfrage der Kunden nach fortschrittlichen Prozesstechnologien zur Differenzierung ihrer Produkte der nächsten Generation setzen wir unser Engagement für die Beschleunigung der Massenproduktion von EUV-basierten Technologien fort.'

Im Oktober 2018 gab Samsung die Bereitschaft und die erste Produktion des 7-nm-Prozesses bekannt, seines ersten Prozessknotens mit EUV-Lithografietechnologie. Das Unternehmen hat kommerzielle Muster der ersten EUV-basierten neuen Produkte der Branche zur Verfügung gestellt und Anfang dieses Jahres mit der Massenproduktion von 7-nm-Verfahren begonnen.

Darüber hinaus arbeitet Samsung mit Kunden an 6 nm, einem kundenspezifischen EUV-basierten Prozessknoten, zusammen und hat bereits das Produkt-Tape-out seines ersten 6-nm-Chips erhalten.

Herr Bae fuhr fort: 'Angesichts der verschiedenen Vorteile, einschließlich PPA und IP, wird erwartet, dass Samsungs EUV-basierte Advanced Nodes für neue und innovative Anwendungen wie 5G, künstliche Intelligenz (AI) und Hochleistungs-Computing (HPC) stark nachgefragt werden. und Automobil. Samsung wird weiterhin die fortschrittlichsten Technologien und Lösungen für seine Kunden liefern und dabei auf die robuste Wettbewerbsfähigkeit der Technologie einschließlich unserer Führungsposition in der EUV-Lithografie zurückgreifen. '

Samsung foundry's EUV-based process technologies are currently being manufactured at the S3-line in Hwaseong, Korea. Additionally, Samsung will expand its EUV capacity to a new EUV line in Hwaseong, which is expected to be completed within the second half of 2019 and start production ramp-up for next year.