Samsung bringt 800 GB Z-SSD für HPC- und AI-Systeme auf den Markt


Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced that it has launched an 800-gigabyte (GB) solid state storage drive-the SZ985 Z-SSD, for the most advanced enterprise applications including supercomputing for AI analysis. Developed in 2017, the new 800 GB Z-SSD provides the most efficient storage solution for high-speed cache data and log data processing, as well as other enterprise storage applications that are being designed to meet rapidly growing demand within the AI, big data and IoT markets.

'Wir gehen davon aus, dass wir mit unserer führenden 800-GB-Z-SSD in naher Zukunft einen erheblichen Beitrag zur Markteinführung von Supercomputersystemen der nächsten Generation leisten können, um die Effizienz der IT-Investitionen zu verbessern und eine außergewöhnliche Leistung zu erzielen', sagte Jinman Han, Senior Vice President von Memory Produktplanung und Anwendungstechnik bei Samsung Electronics. 'Wir werden weiterhin Z-SSDs der nächsten Generation mit höherer Dichte und höherer Wettbewerbsfähigkeit entwickeln, um die Branche bei der Beschleunigung des Wachstums des Premium-SSD-Marktes anzuführen.'
Die neue vierspurige Z-SSD mit einem einzigen Port verfügt über Z-NAND-Chips, die eine zehnmal höhere Zellenleseleistung als 3-Bit-V-NAND-Chips bieten, zusammen mit einem 1,5-GB-LPDDR4-DRAM und einem Hochleistungscontroller. Ausgestattet mit einigen der fortschrittlichsten Komponenten der Branche bietet die 800-GB-Z-SSD eine 1,7-fach schnellere zufällige Leseleistung bei 750 KB IOPS und eine fünfmal kürzere Schreiblatenz - bei 16 Mikrosekunden im Vergleich zu einer NVMe-SSD PM963, die auf 3 basiert -Bit-V-NAND-Chips. Die Z-SSD bietet auch eine zufällige Schreibgeschwindigkeit von bis zu 170 KB IOPS.

Aufgrund seiner hohen Zuverlässigkeit garantiert die 800-GB-Z-SSD bis zu 30 Schreibvorgänge pro Tag (DWPD) für fünf Jahre oder insgesamt 42 Petabyte. Das bedeutet, dass in einem Zeitraum von fünf Jahren insgesamt rund 8,4 Millionen 5 GB-äquivalente Full-HD-Filme gespeichert werden. Die Zuverlässigkeit der neuen Z-SSD wird durch eine mittlere Ausfallzeit (MTBF) von zwei Millionen Stunden weiter unterstrichen.

Samsung will introduce its new Z-SSD in 800 GB and 240 GB versions, as well as related technologies at ISSCC 2018 (International Solid-State Circuits Conference), which will be held February 11-15 in San Francisco.