Samsung Electronics stellt neuen Flashbolt HBM2E-Speicher mit hoher Bandbreite vor



Samsung Electronics Co., Ltd., the world leader in advanced semiconductor technology, today announced its new High Bandwidth Memory (HBM2E) product at NVIDIA's GPU Technology Conference (GTC) to deliver the highest DRAM performance levels for use in next-generation supercomputers, graphics systems, and artificial intelligence (AI).

Die neue Lösung, Flashbolt, ist die erste HBM2E-Lösung der Branche, die eine Datenübertragungsgeschwindigkeit von 3,2 Gigabit pro Sekunde (Gbit / s) pro Pin bietet. Dies ist 33 Prozent schneller als die HBM2-Lösung der vorherigen Generation. Flashbolt hat eine Dichte von 16 GB pro Chip, doppelt so viel wie die vorherige Generation. Mit diesen Verbesserungen bietet ein einzelnes Samsung HBM2E-Paket eine Datenbandbreite von 410 Gigabyte pro Sekunde (GBps) und 16 GB Arbeitsspeicher. 'Flashbolt's industry-leading performance will enable enhanced solutions for next-generation data centers, artificial intelligence, machine learning, and graphics applications,' said Jinman Han, senior vice president of Memory Product Planning and Application Engineering Team at Samsung Electronics. 'We will continue to expand our premium DRAM offering, and improve our 'high-performance, high capacity, and low power' memory segment to meet market demand.'