Samsung entwickelt die branchenweit erste 12-Lagen-3D-TSV-Chip-Packaging-Technologie



Samsung Electronics Co., Ltd., a world leader in advanced semiconductor technology, today announced that it has developed the industry's first 12-layer 3D-TSV (Through Silicon Via) technology. Samsung's new innovation is considered one of the most challenging packaging technologies for mass production of high-performance chips, as it requires pinpoint accuracy to vertically interconnect 12 DRAM chips through a three-dimensional configuration of more than 60,000 TSV holes, each of which is one-twentieth the thickness of a single strand of human hair.

Die Dicke des Gehäuses (720 µm) bleibt die gleiche wie bei den aktuellen 8-Lagen-HBM2-Produkten (High Bandwidth Memory-2), was eine wesentliche Verbesserung des Komponentendesigns darstellt. Auf diese Weise können Kunden Produkte der nächsten Generation mit hoher Kapazität und höherer Leistungsfähigkeit herausbringen, ohne ihre Systemkonfigurationsentwürfe ändern zu müssen. Darüber hinaus bietet die 3D-Verpackungstechnologie eine kürzere Datenübertragungszeit zwischen Chips als die derzeit vorhandene Drahtbondtechnologie, was zu einer erheblich schnelleren Geschwindigkeit und einem geringeren Stromverbrauch führt. 'Die Verpackungstechnologie, die alle Feinheiten des Ultra-Performance-Speichers sicherstellt, gewinnt angesichts der Vielzahl neuer Anwendungen wie künstliche Intelligenz (AI) und High Power Computing (HPC) enorm an Bedeutung', sagte Hong-Joo Baek , Executive Vice President von TSP (Test & System Package) bei Samsung Electronics.

'Da die Moore'sche Gesetzeskalierung an ihre Grenzen stößt, dürfte die Rolle der 3D-TSV-Technologie noch wichtiger werden. Wir wollen an der Spitze dieser hochmodernen Chipverpackungstechnologie stehen. '

Mit seiner 12-Lagen-3D-TSV-Technologie bietet Samsung die höchste DRAM-Leistung für datenintensive und extrem schnelle Anwendungen.

Durch die Erhöhung der Anzahl der gestapelten Schichten von acht auf zwölf wird Samsung in Kürze in der Lage sein, Speicher mit einer hohen Bandbreite von 24 Gigabyte (GB) * in Serie zu produzieren, was die dreifache Kapazität von 8 GB Speicher mit hoher Bandbreite auf dem heutigen Markt bietet.

Samsung will be able to meet the rapidly growing market demand for high-capacity HBM solutions with its cutting-edge 12-layer 3D TSV technology and it hopes to solidify its leadership in the premium semiconductor market.