Samsung kündigt ersten 8-Gbit-LPDDR5-DRAM mit 10-nm-Technologie an



Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced that it has successfully developed the industry's first 10-nanometer (nm) class* 8-gigabit (Gb) LPDDR5 DRAM. Since bringing the first 8Gb LPDDR4 to mass production in 2014, Samsung has been setting the stage to transition to the LPDDR5 standard for use in upcoming 5G and Artificial Intelligence (AI)-powered mobile applications.

Das neu entwickelte 8-Gbit-LPDDR5 ist die neueste Erweiterung der Premium-DRAM-Produktreihe von Samsung, die 16-Gbit-GDDR6-DRAM der 10-nm-Klasse (in Serienproduktion seit Dezember 2017) und 16-Gbit-DDR5-DRAM (im Februar entwickelt) umfasst. 'Diese Entwicklung von 8-Gbit-LPDDR5 ist ein wichtiger Fortschritt für mobile Speicherlösungen mit geringem Stromverbrauch', sagte Jinman Han, Senior Vice President für Speicherproduktplanung und Anwendungstechnik bei Samsung Electronics. 'Wir werden unsere DRAM-Produktreihe der nächsten Generation für 10-nm-Klasse weiter ausbauen, während wir den Schritt hin zu einer stärkeren Nutzung von Premium-Speicher in der gesamten globalen Landschaft beschleunigen.'

Der 8-Gbit-LPDDR5 bietet eine Datenrate von bis zu 6.400 Megabit pro Sekunde (Mb / s), was 1,5-mal schneller ist als die mobilen DRAM-Chips, die in aktuellen Flaggschiff-Mobilgeräten (LPDDR4X, 4266 Mbit / s) verwendet werden. Mit der höheren Übertragungsrate kann der neue LPDDR5 in einer Sekunde 51,2 Gigabyte (GB) Daten oder ungefähr 14 Full-HD-Videodateien (jeweils 3,7 GB) senden.

Der LPDDR5-DRAM der 10-nm-Klasse wird in zwei Bandbreiten erhältlich sein - 6.400 Mbit / s bei einer Betriebsspannung von 1,1 V und 5.500 Mbit / s bei 1,05 V - und ist damit die vielseitigste mobile Speicherlösung für Smartphones und Fahrzeugsysteme der nächsten Generation . Diese Leistungssteigerung wurde durch mehrere architektonische Verbesserungen ermöglicht. Durch die Verdoppelung der Anzahl der Speicherbänke - Unterteilungen innerhalb einer DRAM-Zelle - von acht auf 16 kann der neue Speicher eine viel höhere Geschwindigkeit erreichen und gleichzeitig den Stromverbrauch senken. Der 8-Gbit-LPDDR5 nutzt außerdem eine hochentwickelte, geschwindigkeitsoptimierte Schaltungsarchitektur, die die Ultrahochgeschwindigkeitsleistung des Chips überprüft und sicherstellt.

Um die Energieeinsparung zu maximieren, wurde der LPDDR5 der 10-nm-Klasse so konstruiert, dass seine Spannung im aktiven Modus entsprechend der Betriebsgeschwindigkeit des entsprechenden Anwendungsprozessors gesenkt wird. Es wurde auch so konfiguriert, dass das Überschreiben von Zellen mit '0'-Werten vermieden wird. Darüber hinaus bietet der neue LPDDR5-Chip einen 'Deep-Sleep-Modus', der den Stromverbrauch auf etwa die Hälfte des 'Idle-Modus' des aktuellen LPDDR4X-DRAM reduziert. Dank dieser stromsparenden Funktionen kann der 8-Gbit-LPDDR5-DRAM den Stromverbrauch um bis zu 30 Prozent senken, die Leistung mobiler Geräte maximieren und die Akkulaufzeit von Smartphones verlängern.

Aufgrund seiner branchenführenden Bandbreite und Energieeffizienz kann der LPDDR5 KI- und maschinelle Lernanwendungen unterstützen und ist für mobile Geräte weltweit UHD-kompatibel.

Samsung hat zusammen mit den weltweit führenden Chipherstellern die Funktionsprüfung und Validierung eines Prototyps eines 8 GB LPDDR5 DRAM-Pakets abgeschlossen, das aus acht 8 GB LPDDR5-Chips besteht. Samsung nutzt die hochmoderne Fertigungsinfrastruktur seiner neuesten Produktionslinie in Pyeongtaek, Korea, und plant, die Serienproduktion seiner DRAM-Produktreihen der nächsten Generation (LPDDR5, DDR5 und GDDR6) gemäß den Anforderungen globaler Kunden aufzunehmen.

Fußnote *: Die 10-nm-Klasse ist ein Prozessknoten zwischen 10 und 20 Nanometern