Micron nimmt 128-lagigen 3D-NAND-Flash-Speicher auf



Micron Technology has taped out its 4th generation 3D NAND flash memory with 128 layers. This paves the way for mass production and product implementations in 2020. The 4th gen 3D NAND by Micron continues to use a CMOS-under-array design, but with Replacement Gate (RG) Technology instead of Floating Gate, which Micron and the erstwhile IMFlash Technology had been using for years. Micron is currently mass-producing 96-layer 3D NAND flash, and TLC remains the prominent data-storage physical layer despite the advent of QLC (4 bits per cell).

Micron merkt an, dass dieses 128-lagige 3D-NAND der 4. Generation eine Notlösung für einige wenige Anwendungen sein wird und die Art der Übernahme möglicherweise nicht als seine aktuellen 96-lagigen Chips angesehen wird. Das Unternehmen scheint sich mehr auf seine Weiterentwicklung zu konzentrieren, möglicherweise das 3D-NAND der 5. Generation, das dem Unternehmen spürbare Kosten-pro-Bit-Gewinne bringen dürfte, da es auf einen neueren Siliziumherstellungsknoten umstellt und darüber hinaus noch neuere Technologien implementiert RG. 'Wir haben unsere ersten nachgebenden Matrizen mit einem Ersatztor oder kurz' RG 'erzielt. Dieser Meilenstein verringert das Risiko für unseren RG-Übergang weiter. Zur Erinnerung: Unser erster RG-Knoten besteht aus 128 Schichten und wird für eine Auswahl von Produkten verwendet. Wir erwarten von RG keine bedeutenden Kostensenkungen, bis GJ 2021, als unser RG-Knoten der zweiten Generation weit verbreitet ist. Infolgedessen erwarten wir für das Geschäftsjahr 2020 minimale Kostensenkungen beim NAND. Unser Ansatz zur Bereitstellung der RG-Produktion wird den ROI unserer NAND-Kapitalinvestitionen optimieren ', sagte Sanjay Mehrotra, CEO und President von Micron.
Source: AnandTech